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申請號：200680023141.9
名稱：在電鍍浴中使用金屬納米晶體顆粒形成的復合金屬層
公開(公告)號：CN101233264
公開(公告)日：2008.07.30
主分類號：C25D15/02(2006.01)I
申請(專利權)人：英特爾公司
地址：美國加利福尼亞州
發明(設計)人：W·沃爾瓦格;S·穆圖庫馬
專利代理機構：中國專利代理(香港)有限公司
代理人：劉鍇;韋欣華
摘要
一種在襯底上形成復合金屬層的方法，包括提供第一金屬的納米晶體顆粒，將納米晶體顆粒添加到包括第二金屬的離子的鍍覆浴上以形成類膠體的懸浮液，在鍍覆浴中浸入襯底，以及在襯底上制生成第二金屬和第一金屬的納米晶體顆粒的共沉積以形成一復合金屬層。共沉積可以通過在襯底上引入負偏壓和施加電流到鍍覆浴以誘發電鍍過程而制造。在電鍍過程中，第二金屬的離子通過襯底而還原且在襯底上與第一金屬的納米晶體顆粒共沉積以形成復合金屬層。
